作为全球芯片代工领域中掌握先进技术优势的台积电，历来都是别人想要台积电的技术，亦或者是主动和台积电寻求合作的现象。比如说老美希望台积电共享技术给英特尔，帮助英特尔代工实力增强；再比如说各国要扶持本土半导体产业链，都非常想要拉拢台积电等等，都毫无疑问的说明了台积电的地位。
可以说，在当下这样的半导体大环境中台积电被拉拢，被“觊觎”这才是一种常规的趋势发展。但就在近日，中科院官宣突破之后，就个人觉得让台积电意料之外的事情发生了。
据消息显示：中科院正式宣布在a-IGZO晶体管领域中取得了重要的进展突破。据悉，这是一种被视为实现高密度三维集成的最佳候选沟道材料之一，优势就是可以提高晶体管在芯片上的集成密度。通俗点来说就是，在当下不断靠着提升晶体管的集成度来不断推进的芯片制造技术上，如果有了这样性能优异的晶体管，芯片的集成密度有事半功倍的效果。
而这一点被业界人士普遍认为可以助力台积电保持业界第一的位置。
之所以这样说大概是跟目前台积电面临的境遇有很大的关系。虽说台积电目前的3nm工艺已经研发完成，并且2nm的芯片工艺也在逐步的推进当中，从市场的角度上来说台积电仍旧保持在一个工艺领先的地位。不过，很多人不知道这只是一个表象而已。当下台积电正在推进的2nm在公开的数据中显示，密度的提升只有10％。也就是说，当下台积电所保持的地位也算是费尽心思，一旦这个时候其竞争对手稍微有点优势，那么台积电的地位或将就会被压制。
最关键的是，台积电的2nm是首次采用的GAA工艺，这一点三星在3nm的时候就已经用上了。我们不管三星的良品率到底有多少，也不管三星的代工在业界口碑到底好不好，至少我们可以确定的是GAA工艺三星是领先于台积电的，同时也意味着在这一项工艺上三星比台积电更有优势。