当前位置:首页 » 《资源分享》 » 正文

芯片的制造过程与三大主设备_ICONO的博客

6 人参与  2021年10月22日 13:23  分类 : 《资源分享》  评论

点击全文阅读


芯片的制造过程与三大主设备

    • 芯片制造过程
    • 前道工艺图示
    • 半导体设备市场格局
    • 三种主设备

芯片制造过程

芯片(集成电路)制造就是在硅片上雕刻复杂电路和电子元器件(利用薄膜沉积、光刻、刻蚀等工艺),同时把需要的部分改造成有源器件(利用离子注入等)。

芯片的制造过程可以分为前道工艺后道工艺1

前道是指晶圆制造厂的加工过程,在空白的硅片完成电路的
加工,出厂产品依然是完整的圆形硅片。

前道工艺:包括光刻、刻蚀、薄膜生长、离子注入、清洗、CMP、量测等工艺;

后道是指封装和测试的过程,在封测厂中将圆形的硅片切割成单独的芯片颗粒,完成外壳的封装,最后完成终端测试,出厂为芯片成品。

后道工艺:包括减薄、划片、装片、键合等封装工艺以及终端测试等。
在这里插入图片描述

相比后道工艺,前道工艺技术难度高,相对复杂。

前道工艺图示

第一步:把硅片表面形成的SiO2薄膜层加工成需要的形状2

通过氧化、光刻、刻蚀、去胶等一系列工艺进行。

图示为一个标准流程示意,第一步的薄膜形成多数时候是采用沉积工艺(CVD、PVD等),只有少部分采用氧化。

CMP和清洗通常在流程后执行,为下一轮流程做准备。

量测在每一步关键步骤中测量和检验。

在这里插入图片描述

第二步:加工栅级

经过栅氧化层和多晶硅沉积、光刻和刻蚀之后,形成图中的图形。

注意栅级加工同样经历了涂光刻胶、光刻和显影等流程,下图做了省略。
在这里插入图片描述
第三步:加工源级与漏极

离子注入前需要进行涂胶、光刻和显影,用光刻胶覆盖住需要保护的区域,再进行离子注入。

在这里插入图片描述
第四步:加工绝缘层和导线层

金属接触孔和导线的制造过程,一般需要分别加工绝缘层和金属导线层。
在这里插入图片描述

半导体设备市场格局

2020年中国大陆半导体市场销售额187亿美元,是全球第一大市场。

注:SEMI为国际半导体产业协会
在这里插入图片描述
前道工艺相关设备价值量更大。
在这里插入图片描述

全球范围内的半导体设备龙头企业以美国、日本和欧洲公司为主,呈现寡头垄断,CR5 市占率超过 65%。(下表数据不仅包括设备销售额,还包括服务和支持等相关收入。)
在这里插入图片描述

三种主设备

在2020年半导体设备市场中,前道设备(晶圆制造)612亿美元占比86.1%,后道设备(封装测试)中的封装设备38.5亿美元占比 5.4% 以及测试设备60.1亿美元占比8.5%
在这里插入图片描述
根据2020年数据,光刻、刻蚀和薄膜生长是占比最高的前道设备,合计市场规模占比超过70%,这三类设备也是集成电路制造的主设备。

工艺过程测量设备是质量检测的关键设备,份额占比达13%。
在这里插入图片描述


  1. 【东兴证券】电子行业:半导体设备系列报告之一,全行业框架梳理 ↩︎

  2. 《半导体制造技术》 ↩︎


点击全文阅读


本文链接:http://m.zhangshiyu.com/post/30091.html

光刻  工艺  刻蚀  
<< 上一篇 下一篇 >>

  • 评论(0)
  • 赞助本站

◎欢迎参与讨论,请在这里发表您的看法、交流您的观点。

关于我们 | 我要投稿 | 免责申明

Copyright © 2020-2022 ZhangShiYu.com Rights Reserved.豫ICP备2022013469号-1