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编辑-ZMSB30M在MSBL封装里采用的4个芯片，是一款小电流贴片整流桥。MSB30M的浪涌电流Ifsm为80A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MSB30M采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。MSB30M的电性参数是：正向电流(Io)为3A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1V，其中有4条引线。MSB30M参数描述型号：MSB30M封装：MSBL特性：小电流、贴片整流桥电性参数：3A1000V芯片

编辑-ZMBR60100PT参数描述型号：MBR60100PT封装：TO-247/3P特性：肖特基二极管电性参数：60A 100V芯片材质：SI正向电流(Io)：60A芯片个数：2正向电压(VF)：0.78V芯片尺寸：150MIL浪涌电流Ifsm：500A漏电流(Ir)：30uA工作温度：-40~+175℃恢复时间(Trr)：<5nS引线数量：3MBR60100PT的电性参数&

输入9V-12V输出8.4V1.5A双节锂电池充电芯片平板电脑MID智能MID便捷式MID1A-1.5A平板电脑PMP专用锂电池充电IC AH8412是一款双节锂电池（8.4V）充电管理控制器，外部通过一个电阻可以精确的设置充电电流，充电电流高达1.5A，为双节锂电池提供了一个智能、快速和安全的充电解决方案。Itprovidesanintelligent,fastandsafechargingsolutionforduallithiumbatteries输入9V-12V输出8.4V，AH8412非常适用于消费类电子产品，如

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三轴正交亥姆霍兹线圈系统：亥姆霍兹线圈（Helmholtzcoil）是一种制造小范围区域均匀磁场的器件。由于亥姆霍兹线圈具有开敞性质，很容易地可以将其它仪器置入或移出，也可以直接做视觉观察，所以，是物理实验常使用的器件。三相变频电源三相380V输入三相380V输出经过AC-DC-AC变换的双逆变电源称为三相变频电源。它有别于用于电机调速用的变频调速控制器，也有别于普通。变频电源的主要功用是将现有的交流电网电流变换成所需频率的稳定的纯净的正弦波电源。三相变频电源特点:1.高频MPWM设计，IGBT功率推动&

编辑-Z在ASEMI整流桥产品中，KBU808是一款颇受客户喜爱的整流桥。究竟是什么原因让其貌不扬的它能够让这么多客户朋友信赖和选择？看完这篇文章，相信你会明白的。KBU808是一款低调而有内涵的整流桥，别看ASEMI的KBU808其貌不扬，其4颗芯片为GPP波峰大芯片，芯片均为95ML。因此，该整流桥具有较高的电性参数稳定性和较好的产品离散性。KBU808参数描述型号：KBU808封装：KBU-4/DIP-4特性：整流、扁桥电性参数：8A800V芯片材质&

编辑-ZMBR10100FCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。MBR10100FCT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为0.05mA，其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。MBR10100FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。MBR10100FCT的电性参数是：正向电流(Io)为10A，反向耐压为100V，正向电压(VF)为0.8V，其中有3条引线。MBR10100FCT参数描述型号：MBR10100FCT封装：TO-220特性：肖

编辑-ZUS1G参数描述型号：US1G封装：SMA特性：小电流、贴片电性参数：1A  400V芯片材质：GPP正向电流(Io)：1A芯片个数：1正向电压(VF)：1.3V浪涌电流Ifsm：30A漏电流(Ir)：5uA工作温度：-55~+150℃恢复时间(Trr)：50ns引线数量：2US1G的电性参数：正向平均电流1A；反向峰值电压400VUS1G的包装方式ÿ

 12-30V输入，输出5V/1.2A~AH2032是一款内置30A功率MOS，开关降压型高精度、高亮度LED恒流驱动控制器。通过一个外接电阻设定输出电流，最大输出电流可达1.8A；外围只需很少的元件就可实现降压、恒流驱动功能，并可以通过DIM引脚实现辉度控制功能。AH2032系统采用电感电流滞环控制方式，对负载瞬变具有非常快的响应，对输入电压具有高的抑制比；其电感电流纹波为20%，且最高工作频率可达1MHz，12-30V输入，输出5V/1.2A~AH2032特别适合宽输入电压范围的应用

企业简介：深圳市振邦微科技主营：大功率MOS场效应管，小功率MOS场效应管，N沟道MOS场效应管，高压MOS场效应管，中压MOS场效应管，低压MOS场效应管，电源芯片。如需咨询请联系振邦微科技。振邦微科技秉持著“诚信、创新、品质、热情、顾客导向”之经营理念，提供客户多样化之产品及完整售后服务。通过科技创新，持续改进管理体系，实施与产品/服务质量有关的全过程控，欢迎你的合作洽谈！下面是我公司部分MOS场效应管应用和参考参数。产品型号 电压参数   电流参数 

IGBT保护的问题现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片能保护到的IGBT的项。1.Vce过压2.Vge过压3.短路保护4.过高的di/dt主要是看一下短路保护和过流保护短路的定义1.桥臂内短路（直通）命名为一类短路；2.桥臂间短路（大电感短路）命名为二类短路，可以使用霍尔检测，格局电流变化率来判定。IGBT发生短路时，描述短路电流的数学表达式如下这是个线性方程，它表示&